模块一:易错试题精选
1.通过反应4BI(g)+As4(g) 4BAs(s,晶体)+6I2(g)可制备具有超高热导率半导体材料——BAs晶体。下列说法错误的是
A.图(a)表示As4结构,As4分子中成键电子对数与孤对电子数之比为3:1
B.图(b)表示单质硼晶体B12的基本结构单元,该基本单元为正二十面体
C.图(b)所示单质硼晶体的熔点为2180℃,它属于共价晶体
D.图(c)表示BAs的晶胞结构,距离As原子最近且相等的B原子有4个
【答案】A
【详解】A.图(a)表示 结构,每个 原子最外层有5个电子,形成3个 键,还有1对孤对电子, 分子中成键电子对数(共6对)与孤对电子数(共4对)之比为3∶2,A错误;
B.图(b)表示单质硼晶体 的基本结构单元,每个面都是由3个B原子形成的正三角形,一共有20个正三角形,所以该基本单元为正二十面体,B正确;
C.单质硼晶体的熔点为 ,熔点较高,且原子间通过共价键结合,属于共价晶体,C正确;
D. 晶胞中,较大的原子为 原子,距离 原子最近且相等的B原子有4个,D正确;
答案选A。
2.我国科学家合成了富集11B的非碳导热材料立方氮化硼晶体,其晶胞结构如图。下列说法正确的是
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1. 精品练习-高二化学学科素养能力竞赛专题训练第19讲—物质的聚集状态与晶体的常识(解析版).docx(4.17 MB)
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